Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP3407377
Art A1
28. November 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3407377
- Aktenzeichen
- EP18162904
- Anmeldetag
- 20. März 2018
- Veröffentlichung
- 28. November 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/28H01L29/423H01L29/66H01L29/78H01L27/088H01L27/1157H01L27/11573H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Moore, Graeme Patrick
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Betten & Resch · München