Triphenylgermylsilan und Trichlorsilyl-Trichlorgerman für die Erzeugung von Germanium-Silizium-Schichten sowie Verfahren zu deren Herstellung aus Trichlorsilyl-Triphenylgerman

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3409645

Aktenzeichen

EP17173951

Anmeldetag

1. Juni 2017

Veröffentlichung

2. Oktober 2019

Erteilung

2. Oktober 2019

Rechtsraum

EP

IPC

C01B33/04C01B33/06C01B33/107H01L21/205

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft: • Triphenylgermylsilan (Ph<3>Ge-SiH<3>) für die Erzeugung von Germanium-Silizium Schichten (Ge-Si) oder als Überträger von Silan-Gruppen (SiH<3>). • Ein Verfahren zur Herstellung von Triphenylgermylsilan (Ph<3>Ge-SiH<3>) durch Reduktion von Trichlorsilyl-triphenylgerman (Ph<3>Ge-SiCl<3>) mit einem Hydrid in Lösung. • Ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilyltrichlorgerman (Cl<3>Ge-SiCl<3>) durch Umsetzung von Trichlorsilyltriphenylgerman (Ph<3>Ge-SiCl<3>) mit Chlorwasserstoff (HCl) in Anwesenheit von AICI<3>in Lösung. • Die Verwendung von Trichlorsilyltrichlorgerman für die Erzeugung von Germanium-Silizium Schichten (Ge-Si).

Anmelder

Firmen

Evonik Operations GmbH
Evonik Degussa GmbH

Land

🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete