Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP3410467 Art A1 5. Dezember 2018

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3410467
Aktenzeichen: EP18174527
Anmeldetag: 28. Mai 2018
Veröffentlichung: 5. Dezember 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/324H01L29/66H01L21/8234H01L21/265H01L29/78H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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