Manipuliertes Substrat

EP3411898 Art B1 24. Januar 2024

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3411898
Aktenzeichen: EP17703365
Anmeldetag: 1. Februar 2017
Veröffentlichung: 24. Januar 2024
Erteilung: 24. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L31/0304H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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