Hybridstruktur für eine Oberflächenschallwellenvorrichtung

EP3411910 Art B1 1. September 2021

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3411910
Aktenzeichen
EP17706273
Anmeldetag
17. Januar 2017
Veröffentlichung
1. September 2021
Erteilung
1. September 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L41/08H03H9/00H03H9/02H01L41/312
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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