Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets aus Cu-Ga-Legierung
EP3412795
Art B1
29. September 2021
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3412795
- Aktenzeichen
- EP17747162
- Anmeldetag
- 12. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 29. September 2021
- Erteilung
- 29. September 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C14/34B22F3/10B22F5/10C22C1/04C22C9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München