Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets aus Cu-Ga-Legierung

EP3412795 Art B1 29. September 2021

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3412795
Aktenzeichen
EP17747162
Anmeldetag
12. Januar 2017
Veröffentlichung
29. September 2021
Erteilung
29. September 2021
Rechtsraum
EP
IPC
C23C14/34B22F3/10B22F5/10C22C1/04C22C9/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Mitsubishi Materials Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen