Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3413332
Art A3
20. Februar 2019
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3413332
- Aktenzeichen
- EP18162922
- Anmeldetag
- 20. März 2018
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/3105H01L49/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
1.021
Patente gesamt
32
Fachgebiete
15
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Betten & Resch
Betten & Resch · München