Wafer-Kontaktflächen-Protrusionsprofil mit Verbesserter Teilchenleistung

EP3414774 Art B1 30. März 2022

Anmelder: Entegris, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3414774
Aktenzeichen
EP17705739
Anmeldetag
2. Februar 2017
Veröffentlichung
30. März 2022
Erteilung
30. März 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/683
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Entegris, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Entegris

US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.

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