Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3416182
Art A1
19. Dezember 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3416182
- Aktenzeichen
- EP18167118
- Anmeldetag
- 12. April 2018
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/266H01L21/265H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
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Patente gesamt
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15
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Betten & Resch
Betten & Resch · München