Halbleitersubstratanordnung mit Bereichen mit Unterschiedlichen Porositäten und Verfahren zur Herstellung davon

EP3416186 Art A1 19. Dezember 2018

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3416186
Aktenzeichen: EP17176032
Anmeldetag: 14. Juni 2017
Veröffentlichung: 19. Dezember 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/367H01L23/488H01L21/60H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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