Vertikaler Mosfet mit Zusätzlicher Source-Drain-Kapazität

EP3416187 Art A1 19. Dezember 2018

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3416187
Aktenzeichen: EP18177155
Anmeldetag: 12. Juni 2018
Veröffentlichung: 19. Dezember 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/482H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von