Systeme und Verfahren für In-Situ-Dotierte Halbleiter-Gate-Elektroden für Halbleiterleistungsvorrichtungen mit Breitem Bandspalt
EP3417484
Art A1
26. Dezember 2018
Anmelder: General Electric Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3417484
- Aktenzeichen
- EP17702190
- Anmeldetag
- 10. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H10D64/66H10D30/01H10D30/66H10D62/832
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- General Electric Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
General Electric
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bedford, Grant Richard
Global Life Sciences Solutions Operations UK Ltd · Inhouse
Little Chalfont, Großbritannien
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Patente gesamt
32
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Openshaw & Co
Openshaw & Co · Onex