Verfahren zur Herstellung eines Vorgetäuschten Betriebs eines Integrierten Schaltkreises, und Entsprechender Integrierter Schaltkreis
EP3418937
Art B1
4. August 2021
Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3418937
- Aktenzeichen
- EP18177036
- Anmeldetag
- 11. Juni 2018
- Veröffentlichung
- 4. August 2021
- Erteilung
- 4. August 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F21/75
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics (Rousset) SAS
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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