Träger für eine Halbleiterstruktur

EP3420583 Art B1 4. August 2021

Anmelder: Soitec, Université Claude Bernard Lyon 1, Centre National de la Recherche Scientifique 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3420583
Aktenzeichen: EP17710350
Anmeldetag: 23. Februar 2017
Veröffentlichung: 4. August 2021
Erteilung: 4. August 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
Université Claude Bernard Lyon 1
Centre National de la Recherche Scientifique
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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🇫🇷 Université Claude Bernard Lyon 1

Französische öffentliche Universität in Lyon mit Schwerpunkt Naturwissenschaften, Medizin und Technik. Zahlreiche Patente aus der Forschung in Chemie, Biomedizin und Materialwissenschaften.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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