Halbleiterspeichervorrichtung

EP3422350 Art B1 5. Januar 2022

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3422350
Aktenzeichen: EP16891609
Anmeldetag: 14. November 2016
Veröffentlichung: 5. Januar 2022
Erteilung: 5. Januar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/418G11C8/08G11C8/14G11C11/419G11C11/413G11C5/06G11C5/14H01L27/11// G11C7/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von