Vorrichtung und Verfahren zur Verarbeitung eines Halbleitersubstrats
EP3422394
Art B1
1. September 2021
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3422394
- Aktenzeichen
- EP17178590
- Anmeldetag
- 29. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 1. September 2021
- Erteilung
- 1. September 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/48H01L23/373H01L21/67
Abstract
A method comprises placing a semiconductor substrate on a first curved surface of a first bending tool, using a second bending tool with a second surface to apply pressure to the semiconductor substrate, thereby pressing the semiconductor substrate onto the first curved surface and bending the semiconductor substrate, and removing the bended semiconductor substrate from the first bending tool.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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