Mehrstufige Spannung zur Formung eines Zellfilaments eines Resistiven Direktzugriffsspeichers (rram)

EP3424087 Art A1 9. Januar 2019

Anmelder: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC., Agency for Science, Technology and Research 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3424087
Aktenzeichen: EP17760463
Anmeldetag: 10. Februar 2017
Veröffentlichung: 9. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L45/00G11C11/00G11C11/02G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Agency for Science, Technology and Research
Land: 🇺🇸 USA

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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