Oxidhalbleiterverbindung, Halbleiterelement mit Schicht aus Oxidhalbleiterverbindung und Laminat

EP3425678 Art A1 9. Januar 2019

Anmelder: Tokyo Institute of Technology, AGC INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3425678
Aktenzeichen: EP17759817
Anmeldetag: 23. Februar 2017
Veröffentlichung: 9. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Institute of Technology
AGC INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

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🇯🇵 AGC (Asahi Glass)

Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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