In-Situ-Überwachungsverfahren zur Verwendung in der Halbleiterverarbeitung

EP3430642 Art B1 12. Januar 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3430642
Aktenzeichen: EP16785672
Anmeldetag: 14. Oktober 2016
Veröffentlichung: 12. Januar 2022
Erteilung: 12. Januar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/288H01L21/66H01L21/768H01L23/485B24B37/013B24B37/10B24B49/12// H01L21/321

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von