Verfahren zur Herstellung einer Struktur zur Bildung eines Dreidimensionalen Monolithischen Integrierten Schaltkreises

EP3437121 Art B1 11. Mai 2022

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3437121
Aktenzeichen: EP17715662
Anmeldetag: 31. März 2017
Veröffentlichung: 11. Mai 2022
Erteilung: 11. Mai 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/306H01L25/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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