Verfahren und Strukturen zur Formung von Mikrostreifenübertragungsleitungen auf Dünnen Siliciumcarbid-Auf-Isolator (sicoi)-Wafern
EP3437125
Art B1
26. Juni 2024
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3437125
- Aktenzeichen
- EP17709889
- Anmeldetag
- 27. Februar 2017
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2024
- Erteilung
- 26. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/82H01P3/08H01P11/00H01L21/66// H01L21/20H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Jackson, Richard Eric
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Dentons UK and Middle East LLP
Dentons UK and Middle East LLP · London