Transistorzellen mit einer Tiefen Durchkontaktierung mit Auskleidung aus Dielektrischem Material
EP3440705
Art A1
13. Februar 2019
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3440705
- Aktenzeichen
- EP16897382
- Anmeldetag
- 1. April 2016
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/8234H01L27/088H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
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Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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