Direkte Bildung von Hexagonalem Bornitrid auf Siliciumbasierter Dielektrik

EP3455874 Art B1 28. Dezember 2022

Anmelder: Globalwafers Co., Ltd., The Board of Trustees of the University of Illinois 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3455874
Aktenzeichen
EP17722645
Anmeldetag
28. April 2017
Veröffentlichung
28. Dezember 2022
Erteilung
28. Dezember 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Globalwafers Co., Ltd.
The Board of Trustees of the University of Illinois
Land
🇹🇼 Taiwan
🇺🇸 Board of Trustees of the University of Illinois

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