Verfahren zur Herstellung eines Gestreckten Halbleiter-Auf-Isolator-Substrats

EP3459107 Art B1 18. Dezember 2019

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3459107
Aktenzeichen: EP17729386
Anmeldetag: 17. Mai 2017
Veröffentlichung: 18. Dezember 2019
Erteilung: 18. Dezember 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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