Gehäuse für ein Leistungshalbleitermodul, Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung davon

EP3460837 Art A1 27. März 2019

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3460837
Aktenzeichen: EP17193284
Anmeldetag: 26. September 2017
Veröffentlichung: 27. März 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/043H01L23/10H01L25/07// H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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