Hochleistungstrahlungsdirektor für Hochleistungslasersysteme und Andere Systeme

EP3465272 Art B1 28. Mai 2025

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3465272
Aktenzeichen: EP17713501
Anmeldetag: 24. Februar 2017
Veröffentlichung: 28. Mai 2025
Erteilung: 28. Mai 2025
Rechtsraum: EP
IPC: G01S17/66F41H13/00G01S7/481G01S7/497G02B26/06G02B27/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik Wehrtechnik & Waffen

Vertreten von