Giessereiagnostisches Nachverarbeitungsverfahren für einen Wafer
EP3465742
Art B1
3. April 2024
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3465742
- Aktenzeichen
- EP17727451
- Anmeldetag
- 18. Mai 2017
- Veröffentlichung
- 3. April 2024
- Erteilung
- 3. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/768H01L21/84H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Jackson, Richard Eric
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Dentons UK and Middle East LLP
Dentons UK and Middle East LLP · London