Verfahren zur Reparatur von Defekten in einer Schicht durch Implantation und Dann Ablösung von einem Substrat

EP3465787 Art B1 18. März 2020

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3465787
Aktenzeichen: EP17732503
Anmeldetag: 24. Mai 2017
Veröffentlichung: 18. März 2020
Erteilung: 18. März 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/312H03H3/02H03H3/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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