Verfahren zur Herstellung einer Schicht

EP3465788 Art B1 20. Mai 2020

Anmelder: SOITEC, Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3465788
Aktenzeichen: EP17732504
Anmeldetag: 24. Mai 2017
Veröffentlichung: 20. Mai 2020
Erteilung: 20. Mai 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOITEC
Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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