Harzzusammensetzung, Laminat, Halbleiterwafer mit Harzzusammensetzungsschicht, Substrat zur Montage eines Halbleiters mit Harzzusammensetzungsschicht und Halbleiterbauelement
EP3467028
Art B1
24. April 2024
Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3467028
- Aktenzeichen
- EP17806599
- Anmeldetag
- 29. Mai 2017
- Veröffentlichung
- 24. April 2024
- Erteilung
- 24. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C08L39/00C08K3/00C08K5/09C08K5/13C08K5/1539C08K5/42C08K5/52C08L33/08H01L21/60H01L23/29H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München