Kontaktlöcher mit Dielektrischer Beschichtung
EP3474319
Art B1
12. März 2025
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3474319
- Aktenzeichen
- EP18209605
- Anmeldetag
- 26. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 12. März 2025
- Erteilung
- 12. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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