Leistungsverstärkerzelle

EP3477859 Art B1 30. September 2020

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3477859
Aktenzeichen
EP17199444
Anmeldetag
31. Oktober 2017
Veröffentlichung
30. September 2020
Erteilung
30. September 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H03H7/42H03F1/02H03F1/56H03F3/24H03F3/45H03F3/193
Offizieller Volltext

Abstract

A power amplifier cell comprising a first power amplifier (102), a second power amplifier (104) and a balun. The balun comprises a first inductor (118) and a second inductor (122) that define a first transformer; and a third inductor (120) and a fourth inductor (124) that define a second transformer. The following: (i) a parasitic capacitance (106) of the first power amplifier; (ii) a leakage inductance (110) of the first transformer; and (iii) a capacitive coupling (114) between the first inductor and the second inductor, contribute to a first impedance matching circuit for the first power amplifier. Also, the following (iv) a parasitic capacitance (108) of the second power amplifier; (v) a leakage inductance (112) of the second transformer; and (vi) a capacitive coupling (116) between the third inductor and the fourth inductor, contribute to a second impedance matching circuit for the second power amplifier.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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