Verfahren zur Herstellung eines Gehäusesubstrats für ein Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit Montiertem Halbleiterelement

EP3480843 Art B1 5. Mai 2021

Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3480843
Aktenzeichen: EP17820060
Anmeldetag: 23. Juni 2017
Veröffentlichung: 5. Mai 2021
Erteilung: 5. Mai 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/12H05K3/46H01L23/498H01L21/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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