Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors sowie Dünnschichttransistor

EP3480853 Art A1 8. Mai 2019

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3480853
Aktenzeichen: EP18203173
Anmeldetag: 29. Oktober 2018
Veröffentlichung: 8. Mai 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/66H01L29/417H01L29/45H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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