Herstellung eines Zellfilaments eines Resistiven Direktzugriffsspeichers (rram) mittels Strom

EP3491556 Art A1 5. Juni 2019

Anmelder: Silicon Storage Technology, Inc., Agency for Science, Technology and Research 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3491556
Aktenzeichen: EP17834901
Anmeldetag: 17. Mai 2017
Veröffentlichung: 5. Juni 2019
Rechtsraum: EP
IPC: G11C13/00H01L27/24H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Silicon Storage Technology, Inc.
Agency for Science, Technology and Research
Land: 🇺🇸 USA

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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