Finschnittsisolation mit Einfachem Gateabstand für die Herstellung einer Fortschrittlichen Integrierten Schaltungsstruktur
EP3493269
Art B1
31. Dezember 2025
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3493269
- Aktenzeichen
- EP18203559
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2025
- Erteilung
- 31. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01H10D30/62H10D64/01H10D84/01H10D84/03H10D84/83
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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