Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur

EP3494425 Art B1 16. Februar 2022

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3494425
Aktenzeichen: EP17752037
Anmeldetag: 27. Juli 2017
Veröffentlichung: 16. Februar 2022
Erteilung: 16. Februar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: G02B6/132G02B6/136

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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