Verwendung eines Elektrischen Feldes zum Lösen einer Piezoelektrischen Schicht von einem Donorsubstrat

EP3494604 Art B1 17. Juni 2020

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3494604
Aktenzeichen: EP17754637
Anmeldetag: 1. August 2017
Veröffentlichung: 17. Juni 2020
Erteilung: 17. Juni 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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