Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses auf Waferebene mit Verbesserter Leistung

EP3497717 Art B1 11. Februar 2026

Anmelder: QORVO US, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3497717
Aktenzeichen: EP17755402
Anmeldetag: 14. August 2017
Veröffentlichung: 11. Februar 2026
Erteilung: 11. Februar 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/31H01L21/56H01L21/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: QORVO US, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qorvo US

Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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