Vorrichtung mit einem Halbleitersubstrat mit Galliumnitrid und Verfahren zur Herstellung davon

EP3498894 Art A1 19. Juni 2019

Anmelder: Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3498894
Aktenzeichen
EP19153279
Anmeldetag
25. April 2017
Veröffentlichung
19. Juni 2019
Rechtsraum
EP
IPC
C30B29/40C30B33/00C30B33/08H01L21/02C30B33/04C30B33/12E03B3/28B01D53/26
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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