Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung davon

EP3499558 Art A1 19. Juni 2019

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3499558
Aktenzeichen
EP17839238
Anmeldetag
27. Juli 2017
Veröffentlichung
19. Juni 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/12B23K20/12C04B37/02H01L23/13H01L23/36H01L25/07H01L25/18H01L23/373H01L21/50
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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