Verfahren zur Herstellung einer 3D-Halbleiterspeichervorrichtung und mit Solch einem Verfahren Hergestellte Vorrichtung

EP3499580 Art A1 19. Juni 2019

Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3499580
Aktenzeichen: EP17208150
Anmeldetag: 18. Dezember 2017
Veröffentlichung: 19. Juni 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/66H01L29/788H01L29/792H01L27/11551H01L27/1157H01L27/11578

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: IMEC vzw
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von