Halbleitermaterialwachstum einer Hochohmigen Nitridpufferschicht mittels Ionenimplantation
EP3501033
Art B1
24. September 2025
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3501033
- Aktenzeichen
- EP17751556
- Anmeldetag
- 2. August 2017
- Veröffentlichung
- 24. September 2025
- Erteilung
- 24. September 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/265H10D30/47H10D30/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
4.186 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Jackson, Richard Eric
London, Großbritannien
2.965
Patente gesamt
33
Fachgebiete
25
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Crowell & Moring U.K. LLP
Crowell & Moring U.K. LLP · London