Halbleitermaterialwachstum einer Hochohmigen Nitridpufferschicht mittels Ionenimplantation

EP3501033 Art B1 24. September 2025

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3501033
Aktenzeichen
EP17751556
Anmeldetag
2. August 2017
Veröffentlichung
24. September 2025
Erteilung
24. September 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20H01L21/265H10D30/47H10D30/01
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Raytheon Company
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Jackson, Richard Eric London, Großbritannien
2.965
Patente gesamt
33
Fachgebiete
25
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik
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