Verfahrensoptimierung unter Verwendung einer Doppelseitigen Epitaxialschicht auf einem Substrat
EP3501035
Art A1
26. Juni 2019
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3501035
- Aktenzeichen
- EP17842057
- Anmeldetag
- 16. August 2017
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L27/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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