Duale Tiefe Gräben für Hochspannungsisolation
EP3501040
Art B1
27. April 2022
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3501040
- Aktenzeichen
- EP17842059
- Anmeldetag
- 16. August 2017
- Veröffentlichung
- 27. April 2022
- Erteilung
- 27. April 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/8238H01L27/092H01L29/06H01L21/765
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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