Herstellungsverfahren einer Heterostruktur, die Aktive und Passive Grundstrukturen aus Iii-V-Halbleitermaterial auf der Oberfläche eines Substrats auf Siliziumbasis Umfasst
EP3503223
Art B1
7. April 2021
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3503223
- Aktenzeichen
- EP18213610
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 7. April 2021
- Erteilung
- 7. April 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.940 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Esselin, Sophie
Arcueil, Frankreich
880
Patente gesamt
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9
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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