Halbleiterbauelement mit P-Typ Oxidhalbleiter und Halbleitersystem damit
EP3509090
Art A1
10. Juli 2019
Anmelder: Flosfia Inc., Kyoto University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3509090
- Aktenzeichen
- EP17846508
- Anmeldetag
- 29. August 2017
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10P14/24C23C16/40C23C16/448H10D8/60H10D10/80H10D12/00H10D30/47H10D30/60H10D30/66H10D30/87H10D62/80H10D62/81H10H20/822H10D30/83
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Flosfia Inc.
Kyoto University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
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Vertreten von
-
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Gulde & Partner · Berlin