Vorrichtung mit Integriertem Sperrschicht-Feldeffekttransistor und Herstellungsverfahren dafür

EP3509101 Art B1 10. April 2024

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3509101
Aktenzeichen: EP17845510
Anmeldetag: 31. August 2017
Veröffentlichung: 10. April 2024
Erteilung: 10. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/02H01L27/06H01L29/06H01L27/085H01L29/78H01L29/808H01L29/10H01L29/423H01L21/337// H01L29/36H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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