Bauelement mit Integriertem Sperrschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung davon

EP3509110 Art B1 5. März 2025

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3509110
Aktenzeichen: EP17845494
Anmeldetag: 31. August 2017
Veröffentlichung: 5. März 2025
Erteilung: 5. März 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L27/085H01L21/8232H01L29/808H01L29/10// H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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