Metall-Gate-Strukturen mit Differenzierter Spannungsschwelle zur Herstellung von Erweiterter Integrierter Schaltungsstruktur
EP3514826
Art A3
2. Oktober 2019
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3514826
- Aktenzeichen
- EP18203572
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/768H01L23/522H01L23/532H01L21/033H01L21/308H01L23/485H10D1/47H10D30/01H10D30/62H10D30/69H10D62/822H10D84/01H10D84/03H10D84/83H10D84/85H10D64/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Vertreten von
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HGF Limited · Den Haag